铸造时如果熔体过热或促进形核的活性杂质太少，在特定的结晶条件下，则细晶区的晶体以枝晶单向成长，其成长方向与导热方向一致，距离冷却表面愈远，向宽度方向成长程度愈大。在柱状晶区的结晶前沿，残余熔体由于浓度过冷，温度梯度下降，形成大量新的晶体，新晶体的生长阻碍了柱状晶的继续生长，在柱状晶区前面形成了等轴晶区。

这样结晶后在铸锭的边部形成了狭长的沿热流方向成长的柱状晶区。打断口时可发现晶层分裂。晶层分裂的预防措施，严格防止熔体过热或局部过热，以免减少非自发晶核；合金成分与杂质含量调整适当；金属在炉内停留时间不能过长；集中供流或供流要均匀。上海方管

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